全部商品分類(lèi)
STW70N60M2
數(shù)量
10
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號(hào)
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
是
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
68 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
30 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
Qg-柵極電荷:
118 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
450 W
配置:
Single
商標(biāo)名:
MDmesh
封裝:
Tube
系列:
STW70N60M2
晶體管類(lèi)型:
1 N-Channel
商標(biāo):
STMicroelectronics
下降時(shí)間:
9 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
17 ns
工廠包裝數(shù)量:
600
子類(lèi)別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
155 ns
典型接通延遲時(shí)間:
32 ns
單位重量:
38 g
生命周期
在售
描述
STW70N60M2 STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫(kù)存：10
在線詢(xún)價(jià)
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