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STB6NK90ZT4
數(shù)量
5
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導體
產(chǎn)品批號
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
是
技術(shù):
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
D2PAK-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
900 V
Id-連續(xù)漏極電流:
5.8 A
Rds On-漏源導通電阻:
2 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
46.5 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
140 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
SuperMESH
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
4.6 mm
長度:
10.4 mm
系列:
STB6NK90ZT4
晶體管類型:
1 N-Channel Power ...
類型:
MOSFET
寬度:
9.35 mm
商標:
STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:
5 S
下降時間:
20 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
45 ns
工廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
20 ns
典型接通延遲時間:
17 ns
單位重量:
4 g
生命周期
在售
描述
STB6NK90ZT4 STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫存：5
在線詢價
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