
STW20NM60
數(shù)量
10
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
是
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
290 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
最小工作溫度:
- 65 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
192 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
MDmesh
封裝:
Tube
高度:
20.15 mm
長度:
15.75 mm
系列:
STW20NM60
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5.15 mm
商標(biāo):
STMicroelectronics
下降時間:
11 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
20 ns
工廠包裝數(shù)量:
600
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
42 ns
典型接通延遲時間:
25 ns
單位重量:
38 g
生命周期
在售
描述
STW20NM60 STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫存:10