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STGWT40HP65FB
數(shù)量
98
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號(hào)
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
IGBT 晶體管
RoHS:
是
技術(shù):
Si
封裝 / 箱體:
TO-3P-3
安裝風(fēng)格:
Through Hole
配置:
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:
650 V
集電極—射極飽和電壓:
1.6 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:
30 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:
80 A
Pd-功率耗散:
283 W
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
系列:
STGWT40HP65FB
集電極最大連續(xù)電流 Ic:
80 A
商標(biāo):
STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流:
+/- 250 nA
產(chǎn)品類型:
IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:
300
子類別:
IGBTs
單位重量:
5.500 g
生命周期
在售
描述
STGWT40HP65FB STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫(kù)存：98
在線詢價(jià)
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