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STW56N65DM2
數(shù)量
1
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
是
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續(xù)漏極電流:
48 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
58 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
Qg-柵極電荷:
88 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
360 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
MDmesh
系列:
STW56N65DM2
晶體管類型:
1 N-Channel
商標(biāo):
STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值:
-
下降時(shí)間:
7.7 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
31 ns
工廠包裝數(shù)量:
600
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
157 ns
典型接通延遲時(shí)間:
28 ns
單位重量:
38 g
生命周期
在售
描述
STW56N65DM2 STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫存：1
在線詢價(jià)
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