全部商品分類
STL110N10F7
數(shù)量
2582
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號(hào)
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
系列：
DeepGATE?，STripFET...
FET類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
107A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
4.5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
72nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
5117pF @ 50V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
6 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-PowerSMD，扁平引線
封裝形式Package：
Power
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
100V
連續(xù)漏極電流ID：
110A
RoHS：
符合 RoHS
最高工作溫度：
+ 175 C
5 W：
Pd - 功率消耗
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
品牌：
STMicroelectronics
最低工作溫度：
- 55 C
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：
3000
晶體管極性：
N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓：
100 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：
20 V
Id - C連續(xù)漏極電流：
21 A
Rds On - 漏-源電阻：
6 m0hms
配置：
Dual Dual Source
Vgs th - 門源門限電壓：
2 V to 4 V
60 nC：
Qg - 閘極充電
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
生命周期
在售
描述
STL110N10F7 STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫存：2582
在線詢價(jià)
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