
STU6N60DM2
數(shù)量
10
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
包裝
管件
系列
MDmesh? DM2
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
5A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
1.1歐姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
6.2nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
274pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
I-PAK
封裝/外殼
TO-251-3 短引線,IPak,...
生命周期
在售
描述
STU6N60DM2 STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫存:10