全部商品分類
STW15NM60ND
數(shù)量
60
封裝規(guī)格
STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
產(chǎn)品批號
最新
包裝數(shù)量
原廠包裝
包裝方式
編帶
系列：
FDmesh?? II
FET類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
40nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
1250pF @ 50V
Vgs（最大值）：
±25V
功率耗散（最大值）：
125W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
299 毫歐 @ 7A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
封裝形式Package：
TO-247
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
600V
連續(xù)漏極電流ID：
14A
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
生命周期
在售
描述
STW15NM60ND STMICROELECTRONICS原裝現(xiàn)貨庫存：60
在線詢價
版權(quán)所有 ? 2022 深圳市科微杰電子有限公司
粵ICP備2022034125號-7